Número de Producto del Fabricante:
TK8A10K3,S5Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK8A10K3,S5Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 8A (Ta) 18W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
12889463
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Cantidad
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ENVIAR
TK8A10K3,S5Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
U-MOSIV
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
120mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
530 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
18W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
TK8A10
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK8A10K3S5QM
TK8A10K3,S5Q,M
TK8A10K3S5Q
TK8A10K3S5QM-DG
TK8A10K3,S5Q(M
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK22A10N1,S4X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
29
NÚMERO DE PIEZA
TK22A10N1,S4X-DG
PRECIO UNITARIO
0.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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