Número de Producto del Fabricante:
TK31J60W,S1VQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK31J60W,S1VQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventario:
25 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889110
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Cantidad
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Mínimo 1
X5Dc
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TK31J60W,S1VQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
88mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 1.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3000 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P(N)
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
TK31J60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
TK31J60W,S1VQ(O
TK31J60WS1VQ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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