Número de Producto del Fabricante:
SSM3J133TU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J133TU,LF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Inventario:
106343 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890767
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
rDlq
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SSM3J133TU,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
29.8mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
840 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
UFM
Paquete / Caja
3-SMD, Flat Leads
Número de producto base
SSM3J133
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM3J133TULFCT
SSM3J133TU,LF(B
SSM3J133TULFDKR
SSM3J133TU,LF(T
SSM3J133TULFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TK16E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
TK100S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
TK39J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
