Número de Producto del Fabricante:
NVB25P06T4G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVB25P06T4G-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12856955
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ENVIAR
NVB25P06T4G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
82mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1680 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
120W (Tj)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
NVB25P
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
NVB25P06T4G-DG
NVB25P06T4GOSDKR
NVB25P06T4GOSCT
NVB25P06T4GOSTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
NTB25P06T4G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
NTB25P06T4G-DG
PRECIO UNITARIO
0.92
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
FQB27P06TM
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
14
NÚMERO DE PIEZA
FQB27P06TM-DG
PRECIO UNITARIO
0.81
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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