Número de Producto del Fabricante:
NTDV20N06T4G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTDV20N06T4G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 20A (Ta) 1.88W (Ta), 60W (Tj) Surface Mount DPAK
Inventario:
12857210
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Mínimo 1
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NTDV20N06T4G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
46mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1015 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.88W (Ta), 60W (Tj)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
NTDV20
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
2832-NTDV20N06T4G-488
NTDV20N06T4G-VF01
ONSONSNTDV20N06T4G
2156-NTDV20N06T4G
NTDV20N06T4G-VF01-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
NVD5C688NLT4G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
2450
NÚMERO DE PIEZA
NVD5C688NLT4G-DG
PRECIO UNITARIO
0.58
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
NTD20N06T4G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
5541
NÚMERO DE PIEZA
NTD20N06T4G-DG
PRECIO UNITARIO
0.58
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
IPD26N06S2L35ATMA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2296
NÚMERO DE PIEZA
IPD26N06S2L35ATMA2-DG
PRECIO UNITARIO
0.34
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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