Número de Producto del Fabricante:
FDT86102LZ
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDT86102LZ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 6.6A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Inventario:
7191 Pcs Nuevos Originales En Stock
12848072
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ENVIAR
FDT86102LZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
28mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1490 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
FDT86102
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
FDT86102LZ-DG
FDT86102LZFSTR
FDT86102LZFSCT
FDT86102LZFSDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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