2SK4124-1E
Número de Producto del Fabricante:

2SK4124-1E

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

2SK4124-1E-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 500V 20A TO3P-3L
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 20A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L

Inventario:

12833741
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2SK4124-1E Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
430mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P-3L
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
2SK4124

Información Adicional

Paquete Estándar
30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IXFQ20N50P3
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
294
NÚMERO DE PIEZA
IXFQ20N50P3-DG
PRECIO UNITARIO
2.40
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
FDA16N50-F109
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
270
NÚMERO DE PIEZA
FDA16N50-F109-DG
PRECIO UNITARIO
1.50
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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