Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Ecuador
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Ecuador
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
SPD04N50C3ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPD04N50C3ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
7723 Pcs Nuevos Originales En Stock
12807454
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
l
7
F
o
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SPD04N50C3ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
950mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
470 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SPD04N50
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
SPD04N50C3ATMA1
Hoja de datos HTML
SPD04N50C3ATMA1-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP001117762
INFINFSPD04N50C3ATMA1
SPD04N50C3ATMA1CT
SPD04N50C3ATMA1TR
SPD04N50C3ATMA1DKR
SPD04N50C3ATMA1-DG
2156-SPD04N50C3ATMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STD12N50M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1001
NÚMERO DE PIEZA
STD12N50M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.55
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
SPU02N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO251-3
SIPC08N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
SIPC14N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
IRF6629TRPBF
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET