SPB20N60C3ATMA1
Número de Producto del Fabricante:

SPB20N60C3ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

SPB20N60C3ATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventario:

4719 Pcs Nuevos Originales En Stock
12805565
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SPB20N60C3ATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ C3
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SPB20N60

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
SPB20N60C3ATMA1
Hoja de datos HTML
SPB20N60C3ATMA1-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SPB20N60C3INTR-DG
SPB20N60C3ATMA1DKR
SPB20N60C3INCT-DG
SPB20N60C3INDKR-DG
SPB20N60C3ATMA1CT
SPB20N60C3INCT
SPB20N60C3XT-DG
SP000013520
SPB20N60C3
SPB20N60C3XT
SPB20N60C3INTR
SPB20N60C3INDKR
SPB20N60C3ATMA1TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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