Número de Producto del Fabricante:
IPT60R102G7XTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPT60R102G7XTMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 141W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Inventario:
585 Pcs Nuevos Originales En Stock
12804697
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
l4Ro
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPT60R102G7XTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ G7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
23A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
102mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 390µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1320 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
141W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8-2
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Número de producto base
IPT60R102
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
2156-IPT60R102G7XTMA1
IPT60R102G7XTMA1DKR
IPT60R102G7XTMA1CT
INFINFIPT60R102G7XTMA1
IPT60R102G7XTMA1TR
SP001579318
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFR24N15DTRPBF
MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
IPC90R800C3X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPDD60R150G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
