Número de Producto del Fabricante:
BSD316SNL6327XT
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSD316SNL6327XT-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventario:
532 Pcs Nuevos Originales En Stock
12840527
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ENVIAR
BSD316SNL6327XT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
160mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 3.7µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.6 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
94 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT363-PO
Paquete / Caja
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSD316SNL6327HTSA1
BSD316SN L6327INTR-DG
BSD316SNL6327XTCT
BSD316SN L6327INTR
BSD316SN L6327INDKR
BSD316SN L6327INDKR-DG
BSD316SNL6327XTDKR
BSD316SN L6327-DG
BSD316SNL6327
SP000442462
BSD316SN L6327INCT-DG
BSD316SNL6327XTTR
BSD316SN L6327INCT
BSD316SN L6327
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSD316SNH6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
30853
NÚMERO DE PIEZA
BSD316SNH6327XTSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.06
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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