DMT35M4LFDF4-7
Número de Producto del Fabricante:

DMT35M4LFDF4-7

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMT35M4LFDF4-7-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN2020
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2020-6 (Type W)

Inventario:

12978706
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DMT35M4LFDF4-7 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1009 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
910mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
X2-DFN2020-6 (Type W)
Paquete / Caja
6-PowerXDFN
Número de producto base
DMT35M4LF

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
31-DMT35M4LFDF4-7TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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