Número de Producto del Fabricante:
DMN3190LDW-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN3190LDW-13-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363
Inventario:
15677 Pcs Nuevos Originales En Stock
12884797
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ENVIAR
DMN3190LDW-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
87pF @ 20V
Potencia - Máx.
320mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-363
Número de producto base
DMN3190
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
DMN3190LDW-13DI-DG
DMN3190LDW-13DICT
-DMN3190LDW-13DIDKR
-DMN3190LDW-13DICT
DMN3190LDW-13DI
-DMN3190LDW-13DITR
DMN3190LDW-13DIDKR
DMN3190LDW-13DITR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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